Рассмотрены методы, используемые для оценки стойкости солнечных батарей к воздействию ионизирующего излучения космического пространства и прогноза срока активного существования солнечных батарей в заданных радиационных условиях эксплуатации. Выделены основные особенности и проблемные моменты существующей практики решения задачи оценки радиационной стойкости солнечных батарей космического применения. Предложены пути решения данных проблем.

Выполнен сравнительный анализ методов формирования одиночных радиационных эффектов в изделиях электронной компонентной базы при воздействии различных видов ионизирующего излучения. Предложены критерии сравнения условий формирования эффектов, обусловленных тяжелыми заряженными частицами и другими видами излучений. Рассмотрены направления развития исследований одиночных радиационных эффектов с учетом обеспечения эффективности экспериментов в лабораторных условиях.

Предложен расчет приграничных эффектов электризации в области влияния границ раздела «диэлектрик-металл» сложной геометрической формы при воздействии гамма-излучения по исходным данным о соответствующих распределениях для плоских границ раздела, полученным расчетным или экспериментальным методом. Достоверность вычислений подтверждена экспериментально при измерении токов смещения облучаемой конструкции цилиндрической формы.

Рассмотрено воздействие нейтронов и электронов на современные конструкции Si фотоэлектрических преобразователей двух типов: PERC и HJT. На основе анализа спектров внешнего квантового выхода фотоотклика и изменения плотности фототока в зависимости от типа и уровня облучения было получено, что PERC имеют большую радиационную стойкость по сравнению с HJT: при облучении нейтронами с флюенсом 6·10¹² см^-2 – на 11,6 %; электронами с энергией 5 МэВ и флюенсом 2·10¹⁴ см^-2 – на 7,9 %; 7 МэВ электронами с энергией 7 МэВ и флюенсом 1·10¹⁴ см^-2 – на 5,1 %.

Показано, что при импульсном нейтронном воздействии сечение одиночных сбоев возрастает в условиях просадки напряжения питания микросхемы. На основе экспериментальных данных, полученных при облучении СОЗУ в стационарном режиме работы ядерного реактора, и расчетной схемотехнической модели данной микросхемы выполнена расчётно-экспериментальная оценка сечения одиночных сбоев в СОЗУ при импульсном нейтронном воздействии в условиях просадки напряжения питания.

Приведены результаты расчета локальных поглощенных доз в местах расположения бортовой аппаратуры космического аппарата, предназначенного для исследования системы Сатурна. Данные величины необходимы для расчетов радиационной стойкости приборов и устройств на борту и выработки требований к дозовой стойкости электрорадиоизделий, применяемых при планировании таких сложных миссий.

Проведены измерения информативного параметра бортовой системы дозиметрического контроля в условиях воздействия гамма-излучения источника 60Со при нормальных климатических условиях и в процессе отжига при положительных температурах окружающей среды 20; 40; 60; 80 и 125 °С. Полученные результаты сравниваются с градуировочной зависимостью информативного параметра от поглощенной дозы ионизирующего излучения. Проведена оценка погрешности измерения дозы. Результаты апробации комплекта бортовой системы дозиметрического контроля позволили уточнить диапазон измерения поглощенной дозы на борту космических аппаратов К1 и К2. Данные изменения напряжения датчиков показали, что отжигаются только заряды на дырочных ловушках, а заряд на поверхностных состояниях не отжигается. Экспериментальные данные хорошо согласуются с использованной моделью термического отжига.