Получено пространственно-временное распределение плотности радиационно-генерированных носителей заряда в локально-неравновесной диффузионной модели ионизационной реакции полупроводниковых структур от мгновенного точечного источника, расположенного на заданном расстоянии от поверхности. Для тестовой геометрии рассчитана плотность переходного ионизационного тока. Проведено сравнение результатов моделирования переходных ионизационных процессов в локально-равновесном и локально-неравновесном приближениях.

Представлены результаты анализа набора результатов испытаний изделий электронной компонентной базы (ЭКБ) на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц с помощью ускорителей ионов и лазерного излучения. Проведена количественная оценка степени коррекции параметров чувствительности и стойкости ЭКБ при совместном использования лазерного излучения.

Исследована деградация мощных n-МОПТ при воздействии гамма-облучения и электростатического разряда (ЭСР). Показано, что предварительное гамма-облучение может привести к повышению стойкости мощных n-MOПТ к ЭСР. Этот эффект может быть связан с наличием в структуре MOПТ «паразитного» биполярного транзистора, который включается под действием ЭСР и коэффициент усиления которого деградирует под действием гамма-облучения. Представлена аналитическая модель включения «паразитного» биполярного транзистора под действием импульса ЭСР, и показана зависимость напряжения ЭСР от поглощенной дозы при предварительном облучении.

Рассмотрены фотопреобразователи на основе гетеропереходов GaAs/GaAlAs и GaAs/GaInAs, рассчитанные на работу в различных спектральных диапазонах длин волн оптического излучения. Представлена информация по результатам исследований влияния нейтронного и гамма- излучений на работоспособность фотопреобразователей. Показана степень деградации их характеристик после воздействия ионизирующих излучений.

Представлены результаты разработки отечественных экспериментальных образцов радиационно стойких фототиристоров. Приведены результаты исследований электрических характеристик фототиристорных структур на основе GaAs, управляемых световым сигналом с длиной волны излучения 1 мкм. Показаны возможности применения данных структур для коммутации токов в десятки ампер при напряжении более 100 В.

Исследован тиристорный эффект (ТЭ) в статическом оперативном запоминающем устройстве, вызванный воздействием нейтронов 14 МэВ и одиночным импульсом напряжения (ОИН). На основе полученных результатов показано, что ТЭ в СОЗУ при воздействии нейтронов и ОИН имеет сходство по нескольким основным параметрам, которые характеризуют ТЭ.

Описаны механизмы совместного проявления эффектов радиационно-индуцированного свечения и радиационно-наведенного поглощения в протяженных волоконно-оптических линиях связи при воздействии импульсного ионизирующего излучения. С использованием описанных закономерностей разработана математическая модель, которая позволяет оценить световой отклик оптоволокна при произвольном распределении уровня воздействия по его длине.

Измерен энергетический спектр электронного излучения субнаносекундного ускорителя с помощью полукругового магнитного спектрометра. Спектрометр позволяет регистрировать спектр электронов с энергией до 2 МэВ с разрешением по энергии не хуже 3 %.