МЕНЮ

Стр.
Выпуск 3, 2021
5-10
Адаптированная методика оценки радиационной деградации фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения и их каскадов на базе INGAP, INGAAS И GE

Г.С. Воеводкин1,2, М.В. Рябцева1,2, И.В. Бадурин1,3, Н.Т. Вагапова1,2,3,
Е.С. Логинова1,3, К.И. Таперо2,4, А.С. Петров4

1AО «Научно-производственное предприятие «Квант», г. Москва, Россия
e-mail: umc@npp-kvant.ru
2Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», г. Москва, Россия
3Российский технологический университет «МИРЭА», г. Москва, Россия
4АО «Научно-исследовательский институт приборов», г. Лыткарино, Московская обл., Россия

Проведено исследование воздействия электронов с энергией 7 МэВ на каскады фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) концентрированного солнечного излучения (КСИ) на основе InGaP/InGaAs/Ge. До и после каждого этапа облучения были исследованы спектральные и электрические характеристики ФЭП КСИ. Рассмотрено изменение основных электрических параметров, а также диффузионной длины неосновных носителей заряда полупроводниковых материалов каскадов ФЭП КСИ. Предложена и апробирована методика расчёта напряжения, вырабатываемого каждым каскадом ФЭП КСИ. На основе полученных результатов был определён наиболее уязвимый к воздействию электронов каскад.

Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, полупроводниковые материалы AIIIBV, концентрированное солнечное излучение, высокоэнергичные электроны, вольт-амперная характеристика, электролюминесцентная спектроскопия, внешний квантовый выход фотоотклика.
11-16
Модель локальной дозовой нагрузки сплошной защиты с плоскими ограничивающими поверхностями

А.Н. Панюшкин1, Н.Н. Панюшкин2, И.П. Бирюкова3

1АО «Научное конструкторско-технологическое бюро «Феррит»
г. Воронеж, Россия
2ФБГОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова»
г. Воронеж, Россия
e-mail: nnpan@yandex.ru
3Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил «Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина»
г. Воронеж, Россия

Получена математическая модель локальной дозовой нагрузки для сплошной защиты в форме прямоугольного параллелепипеда. Входными параметрами для модели являются справочные данные по локальной нагрузке для типовой защиты в форме сплошной сферы. Проведённый численный анализ показал зависимость локальной дозовой нагрузки от геометрических размеров параллелепипеда. Наибольшее значение локальной дозовой нагрузки соответствует защите в форме куба. Для параллелепипеда величина дозовой нагрузки может уменьшаться до двух раз от максимального значения в зависимости от геометрии параллелепипеда от толщины стенок. Модель позволяет оптимизировать геометрию защиты с целью снижения локальной дозовой нагрузки при одновременном снижении массы защиты.

Ключевые слова: локальная дозовая нагрузка, ионизирующее излучение, космический аппарат, сплошная защита, плоская ограниченная защита, лучевой метод, метод секторирования.
17-21
Оценка сечения одиночных сбоев в статическом ОЗУ для произвольного спектра нейтронов по результатам, полученным на нейтронном генераторе

М.М. Арманов, А.С. Кустов, О.В. Ткачёв, К.Д. Кокшарова

ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru

На основе численного моделирования переноса нейтронов и высокоэнергичных ионов в активной области микросхемы в программе ПРИЗМА получена связь между исходным энергетическим распределением нейтронов и распределением вторичных заряженных частиц по линейным потерям энергии. С использованием известного из литературы [1] двухпараметрического выражения, связывающего сечение одиночного сбоя (ОС) с линейными потерями энергии бомбардирующих частиц, выполнены оценки сечения ОС в статическом ОЗУ при воздействии нейтронов произвольного энергетического спектра.

Ключевые слова: нейтроны, вторичные заряженные частицы, энергетический спектр, статические ОЗУ, сечение одиночного сбоя.
22-27
Исследование влияния нейтронного облучения на температурные зависимости электрооптических характеристик gaas лазерного диода

О.В. Ткачёв1, С.М. Дубровских1, Е.В. Смирнов1, А.С. Кустов1, И.А. Иванова2

1ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академ. Е.И. Забабахина»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия
e-mail: dep5@vniitf.ru
2Снежинский физико-технический институт Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ»
г. Снежинск, Челябинская область, Россия

Представлены результаты исследований радиационного отклика полупроводниковых лазерных диодов, излучающих на пиковой длине волны 965 нм, при вариации температуры лазера. Изучено влияние температуры и нейтронного облучения на электрооптические характеристики лазерного диода. Показано, что в качестве параметра-критерия, определяющего радиационную стойкость полупроводниковых лазерных излучателей, целесообразно выбирать пороговый ток при температуре эксплуатации.

Ключевые слова: лазерный диод, пороговый ток, вольт-амперные характеристики, ватт-амперные характеристики, флюенс нейтронов.
28-32
Влияние облучения альфа-частицами на обратные вольт-амперные характеристики кремниевых фотоумножителей

Д.А. Огородников1, Ю.В. Богатырев1, С.Б. Ластовский1, А.В. Кетько2,
А.М. Лемешевская2, В.С. Цымбал2, С.В. Шпаковский2, П.В. Рубанов3,
С.Е. Луконин3

1ГО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению»
г. Минск, Беларусь
e-mail: lastov@physics.by
2ОАО «Интеграл»
г. Минск, Беларусь
3Томский политехнический университет
г. Томск, Россия

Представлены результаты исследования влияния облучения альфа-частицами на обратные вольт-амперные характеристики кремниевых фотоумножителей. Установлено, что наибольшие изменения обратной характеристики наблюдаются у приборов, облучаемых в режиме лавинного пробоя. Полученные результаты объясняются влиянием накапливаемых в процессе облучения зарядов в диэлектрических слоях разделительных канавок и поверхностных состояний на границах раздела этих слоев с p-кремнием активных ячеек.

Ключевые слова: кремниевый фотоэлектронный умножитель, альфа-частицы, радиационная стойкость, обратная вольт-амперная характеристика.
33-43
Особенности подготовки и проведения исследований образцов интегральной схемы в сложно-корпусном исполнении BGA FLIP-CHIP

А.Е. Козюков1, Н.Ю. Шульга1, С.А. Яковлев1, А.А. Кляйн1, Е.В. Ткаченко2

1Филиал АО «Объединённая ракетно-космическая корпорация» - «Научно-исследовательский институт космического приборостроения»
г. Москва, Россия
e-mail: Kozyukov_AE@orkkniikp.ru
2ФГУ «ФНЦ Научно-исследовательский институт системных исследований РАН»
г. Москва, Россия

Представлены особенности подготовки и проведения исследований интегральных микросхем в сложно-корпусном исполнении BGA Flip-Chip на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц в части отказов катастрофического типа, тиристорного эффекта и возникновения одиночных сбоев.

Ключевые слова: утонение (утончение) подложки кристалла, декорпусирование, кремниевая многокристальная подложка, исследования микросхем, тяжелые заряженные частицы, одиночные радиационные эффекты, одиночные радиационные эффекты SEU, радиационная стойкость, ионизирующее излучение космического пространства, электронная компонентная база.


  • 140080, Московская обл., г. Лыткарино
  • промзона Тураево, строение 8.
  • +7 (495) 663-90-95
  • +7 (495) 663-90-74
  • risi@niipribor.ru