Предложен метод корректировки результатов определения эффективной длительности импульсов ионизирующего излучения с учетом ограниченной полосы пропускания измерительной системы. Приведены результаты апробации метода при измерениях формы импульса с эффективной длительностью ~ 5 нс с использованием измерительной системы с полосой пропускания ~ 100 МГц.

Рассмотрены особенности испытаний сложных электронных модулей, в состав которых входят мощные МОП-транзисторы, на стойкость к необратимым эффектам одиночных событий при действии тяжелых заряженных частиц. Проведен анализ имеющихся экспериментальных результатов с точки зрения возможного влияния кумулятивного эффекта на необратимые отказы МОП-транзисторов в составе модулей питания.

Представлены результаты облучения микросхем памяти фирмы SONY на различных электрофизических и исследовательских ядерных установках при вариации условий эксперимента. Исследованы уровни бессбойной работы (УБР), а также длительности релаксации радиационных эффектов в микросхемах. Приведено сравнение времён релаксации радиационных эффектов и длительности ионизационного тока. Выполнена оценка влияния температуры образца на время релаксации радиационных эффектов и на УБР микросхемы.

Предложен метод определения экспоненциальной радиационно-передаточной характеристики для аналоговых параметров изделий электронной техники по значениям коэффициента расширения импульса излучения моделирующей установки для этих параметров. Коэффициент расширения импульса излучения для данного параметра изделия определяется как отношение эффективной длительности отклика изделия по данному параметру к эффективной длительности воздействующего импульса излучения. Сформулировано предложение о введении в практику испытаний понятия «релаксационная кривая для данной моделирующей установки». Проведен расчет этой кривой для установки АРСА.

Представлены результаты исследования стойкости светодиодов ИК-диапазона длин волн к воздействию быстрых нейтронов на реакторе ИРТ-Т. В работе приведены результаты, полученные с помощью разработанного фильтра для горизонтального канала ИРТ-Т ГЭК-6 из карбида бора и кадмия, который поглощает тепловые нейтроны. Показана идентичность деградационных процессов в светодиодах при воздействии импульсных (установка БАРС-4) и стационарных источников быстрых нейтронов (ГЭК-6 ИРТ-Т). Разработанная методика может быть рекомендована для исследования стойкости различных материалов и изделий электронной техники к воздействию быстрых нейтронов в различных режимах облучения.

Зарегистрированы характеристики электронного пучка, генерируемого субнаносекундным ускорителем с двойным обострением в схеме формирования импульса напряжения. Длительность импульса тока электронного пучка составила 240…270 пс, амплитуда тока ~ 1,5 кА, максимальная энергия электронов ~ 0,95 МэВ. С учетом временного разрешения канала регистрации электронного пучка длительность импульса тока электронов τ_0,5 ≈ (220±20) пс. Определены импульсные характеристики полупроводниковых детекторов рентгеновского излучения: СППД 29к и СППД29-02, которые составили τ_0.5≈(320±30) пс и τ_0.5≈(450±30) пс соответственно.

Целью данной работы являлось получение расчёта физического процесса в ускорительной секции, выполненной в виде дисковой радиальной линии, линейного индукционного ускорителя (далее - ЛИУ) с точки зрения теории работы торообразного трансформатора. Выполнен теоретический расчёт получения ускоряющего напряжения в ускоряющем промежутке секции в зависимости от начального зарядного напряжения и конструктивных параметров.