Проведена оценка стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию отдельных заряженных частиц космического пространства по одиночным эффектам в соответствии с положениями РД 134-0139-2005. Выявлены ограничения существующего подхода в оценке стойкости современной радиоэлектронной аппаратуры и предложен вариант его развития. Внедрен этап расчетно-экспериментальной оценки, позволяющий определять стойкость функционально сложных систем с учетом их восстановлений. Предоставлен сравнительный анализ показателей стойкости аппаратуры, полученный на базе существующего и предложенного подхода.

Предложен метод бесконтактного нагрева кристаллов электронной компонентной базы при радиационных испытаниях с использованием мощных лазеров ИК-диапазона. Приводится пример практической реализации метода, результаты экспериментов с различными образцами изделий, а также результаты компьютерного моделирования тепловых процессов в вакууме и на воздухе. Обсуждается применимость метода с точки зрения неоднородности распределения температуры в испытываемом образце, скорости нагрева и других факторов.

Проведено обзорное исследование данных по свойствам латентных дефектов, возникающих в подзатворном диэлектрике МОП-транзисторов. Обсуждается классификация латентных дефектов, механизмы их возникновения и влияние на свойства облученных образцов. Впервые приводятся зависимости чувствительности МОП-транзисторов к возникновению латентных дефектов от угла падения частиц. Предлагаются коррективы к методам испытаний на пробой подзатворного диэлектрика, регламентируемым действующей нормативной документацией.

Предложен подход к заданию требований по стойкости интегральных схем (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ), который основан на сравнении вероятностей отказов ИС, связанных с надёжностью, и отказов, возникающих в ИС при воздействии ТЗЧ в наиболее жестких условиях эксплуатации.

Представлены результаты эксперимента по облучению КМОП ИМС при мощности дозы 0,1 рад/с в электрическом и пассивном режимах. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования, в обоих случаях при облучении МОП-транзисторов как с n-каналом, так и с р-каналом.

Проведено сравнение реальных полетных данных интенсивности сбоев в коммерческих микросхемах памяти с результатами расчетов, полученными с помощью новой компактной модели. Представлен параметрический анализ расчетов интенсивности сбоев, и показаны преимущества использования нового подхода.

Представлен подход к определению дозового запаса функционирования КМОП-микросхем, основанный на измерении сток-затворных характеристик n- и p-канальных транзисторов из состава микросхем в процессе воздействия статического гамма-излучения. Представленный подход позволяет определять дозовые запасы по функционированию КМОП-микросхем для различного напряжения питания и прогнозировать дозовый уровень функционального отказа микросхем.

Проведены сравнительные расчетно-экспериментальные исследования сопротивления ползучести и термоциклическому воздействию двух- и трехслойных образцов эмиттеров из монокристаллических сплавов W-Nb, Mo-Nb и монокристаллического вольфрама. Показано, что использование трехслойной оболочки позволяет обеспечить длительный ресурс электрогенерирующих каналов при одновременном снижении ее стоимости.

Показана ошибочность применения положений РД В 319.03.31-99 при расчете норм испытаний на стойкость к воздействию специальных факторов сложных многоэлементных изделий электронной техники. Предлагается либо ограничиваться при расчете норм испытаний по ГОСТ РВ 20.39.414-98, либо скорректировать РД таким образом, чтобы сделать его применимым к расчету норм испытаний многоэлементных изделий электронной техники.

Представлена аппаратная реализация и программное обеспечение системы диагностики работы периферийных узлов ускорителя ЛИУ-10 с использованием цифровых регистраторов различных типов.